[发明专利]一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法。它包括电池片前处理、正面制备高折氮氧化硅膜、正面制备三层氮化硅膜、正面制备低折氮氧化硅膜和正面制备氧化硅膜。通过本发明制备的电池片正面形成有包含高折氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折氮氧化硅膜和氧化硅膜的复合膜层结构，每层介质膜的膜厚和折射率进行匹配性设计，很好的增加太阳光的吸收，达到理想的陷光效果，而且底层的氮氧化硅膜折射率较大，具有优异的钝化作用，同时提升了太阳能电池的抗PID性能。