[发明专利]掩膜板和新型产线在审
| 申请号： | 202010274726.X | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111427231A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 黄灿军 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种掩膜板和新型产线，新型产线包括第一曝光设备、传送带以及第二曝光设备，第一曝光设备包括第一掩膜板和第一曝光机，第二曝光设备包括第二掩膜板和第二曝光机；通过对同一基板用不同的掩膜板分部曝光，缓解了现有黄光线生产的彩膜基板存在暗纹多的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜板 新型 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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