[发明专利]用于形成DRAM的位线接触的隔离图案和制备方法在审
| 申请号： | 202010275574.5 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113517256A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 叶甜春;安佑松;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于形成DRAM的位线接触的隔离图案和制备方法包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的多个隔离部；每个所述隔离部之间不相接；其中，每个隔离部的图案均为两个部分重合的圆形组成的8字形。8字形隔离部可以增加位线方向的接触的关键尺寸，从而能够在不改变工艺裕量的情况下，改善接触部分的电阻，提高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 dram 接触 隔离 图案 制备 方法 | ||
【主权项】：
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