[发明专利]用于形成DRAM的位线接触的隔离图案和制备方法在审
申请号: | 202010275574.5 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN113517256A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 叶甜春;安佑松;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 付婧 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于形成DRAM的位线接触的隔离图案和制备方法包括:半导体衬底;位于半导体衬底之上的多个隔离部;每个所述隔离部之间不相接;其中,每个隔离部的图案均为两个部分重合的圆形组成的8字形。8字形隔离部可以增加位线方向的接触的关键尺寸,从而能够在不改变工艺裕量的情况下,改善接触部分的电阻,提高性能。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 dram 接触 隔离 图案 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司,未经中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010275574.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。