[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
申请号: | 202010276334.7 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN113517287A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 李相遇;安重镒;金成基;熊文娟;李亭亭;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 佟林松 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种含电容孔的半导体结构,包括电容孔,所述电容孔的蚀刻终止层由至少两层氮化物膜组成;所述两层氮化物膜的密度不同;为使所述至少两层氮化物膜的密度不同,采用原位沉积方式。一种半导体结构的制备方法,包括下列步骤:在半导体衬底上沉积蚀刻终止层,再经过后续工艺形成电容孔;其中,所述沉积蚀刻终止层的方法为:在所述半导体衬底上沉积多层氮化物膜,所述多层氮化物膜依次上下层叠,并且所述多层氮化物膜所采用的沉积方法不同。本发明解决了现有技术因电容孔形貌不佳导致器件不良的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的