[发明专利]集成芯片、集成电路及其形成方法在审
| 申请号： | 202010279627.0 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN112447667A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡敏瑛;吴政达;杜友伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及一种包括设置在半导体衬底内的第一衬底穿孔的集成芯片。半导体衬底具有分别在半导体衬底的相对侧上的前侧表面及背侧表面。半导体衬底包括从前侧表面延伸到背侧表面的第一掺杂沟道区。第一衬底穿孔至少由第一掺杂沟道区定义。导电接触件上覆于半导体衬底的背侧表面且包括上覆于第一衬底穿孔的第一导电层。第一导电层包括导电材料。上部导电层位于导电接触件之下。上部导电层的上表面与半导体衬底的背侧表面对准。上部导电层包括导电材料的硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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