[发明专利]半导体结构及制备方法有效
| 申请号： | 202010280443.6 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111564441B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;高建峰;刘卫兵;孔真真 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构，包括：半导体衬底，于所半导体衬底内设置沟槽；埋入式栅堆叠，埋入式栅堆叠填充沟槽的下部；埋入式栅堆叠具有朝沟槽底部方向凹陷的顶表面。本申请的埋入式栅堆叠具有朝所述沟槽底部方向凹陷的顶表面，减小了埋入式栅堆叠(Gate)与源/漏区(S/D)之间的重叠部分，减少了GIDL电流,提高现有的半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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