[发明专利]制造交叉点型半导体存储器件的方法在审
| 申请号： | 202010284475.3 | 申请日： | 2020-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN112397645A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 郑载琥;高永珉;金钟旭;朴洸珉;崔铜成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L43/08;H01L27/11514;H01L27/11551;H01L27/11578;H01L27/11597 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了制造交叉点型半导体存储器件的方法。一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括：形成字线和单元堆叠，间隙在单元堆叠之间；在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15：1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于15：1。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 交叉点 半导体 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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