[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010290935.3 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113540237A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底表面具有伪栅极结构；分别位于所述伪栅极结构两侧的基底内的源漏开口；位于所述源漏开口侧壁的第一应力层；位于所述源漏开口底部、以及所述第一应力层上的第二应力层，所述第二应力层填充满所述源漏开口，且所述第一应力层的应力小于所述第二应力层的应力。所述第一应力层仅位于源漏开口的侧壁，占用所述源漏开口较小的空间，使得在源漏开口内形成的第二应力层的体积较大，进而提高所述第二应力层对沟道的应力。同时，所述第一应力层能够缓解基底和第二应力层之间的界面缺陷，进而能够减少对沟道的影响，改善短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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