[发明专利]电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法在审
| 申请号： | 202010291690.6 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113540348A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金一球;叶甜春;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种电容器结构及半导体器件，包括半导体基底；位于半导体基底上的多个电容器，所述电容器包括下电极、介电层和上电极；所述下电极具有侧壁、封闭的底部和开放的顶部，所述介电层包括位于所述下电极侧壁和底壁上的第一介电层，所述上电极包括位于所述第一介电层内侧的第一上电极，所述下电极、第一介电层和第一上电极构成第一电容；位于所述下电极顶部和所述第一介电层顶部之上的支撑物。本申请中的制造方法得到的圆筒形电容器及半导体器件，能够在保证深宽比的同时，有效改善制造方法中发生的下电极的倾斜和塌陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 半导体器件 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010291690.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：网络切片的成员管理方法及系统
- 下一篇：环保型自破胶降阻剂及其制备方法与应用
