[发明专利]具有掩埋电源轨的集成电路及制造集成电路的方法在审
| 申请号： | 202010294764.1 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN112117233A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 洪俊九;徐康一;马克·罗德尔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了具有掩埋电源轨的集成电路和制造集成电路的方法。所述方法包括：在第一半导体基底的上表面上形成第一介电层；在第一介电层的上表面中形成多个电源轨沟槽；在多个电源轨沟槽中形成掩埋电源轨；在第一介电层的上表面和掩埋电源轨的上表面上形成第二介电层；在供体晶圆上形成第三介电层；将第三介电层结合到第二介电层；以及在供体晶圆上或在供体晶圆中形成多个有源半导体器件、过孔和金属互连件。掩埋电源轨被第一介电层和第二介电层包封，并且掩埋电源轨在多个有源半导体器件下方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 电源 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
