[发明专利]一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法及转移装置在审
申请号: | 202010302173.4 | 申请日: | 2020-04-16 |
公开(公告)号: | CN111477651A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 陈新;陈云;丁树权;汤晖;崔成强;侯茂祥;高健;陈新度;刘强;贺云波;郝明明;杨志军 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/67;G02F1/1333;G02F1/13 |
代理公司: | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人: | 梁永健;单蕴倩 |
地址: | 510062 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法,包括下述步骤:转移准备:液晶光闸掩膜基板设置在透光基板的上方;选择对齐:移动液晶光闸掩膜基板和透光基板,对齐透光基板的待转移的晶片的位置与接受基板的待接收的晶片的位置;导通释放:开启激光,导通液晶光闸掩膜基板的至少一对电极,与导通的电极相对的液晶光闸掩膜基板允许透过激光,激光作用在黏合层使黏合层的粘附作用降低,待转移的晶片脱落至接受基板的待接收的晶片的位置;持续释放;本申请旨在提供一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法及转移装置,可用于巨量转移Micro‑LED晶片或其他精细元件,成本低,易操作,优良率高,效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 液晶 光闸掩膜 巨量 转移 方法 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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