[发明专利]横向扩散高压器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010303002.3 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111524975A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散高压器件及其制作方法。其中横向扩散高压器件包括：衬底层上注入形成N型埋层；外延层生长在N型埋层上；场区氧化结构包括开设于外延层中的场区沟槽，和填充在场区沟槽中的场区氧化层；漂移区，漂移区形成于场区氧化结构周围的外延层中；体区，体区形成于漂移区一侧的外延层中；栅极结构，栅极结构设于外延层上，且栅极结构的两侧分别与体区和场区氧化结构交叠；栅极结构的周侧形成侧墙介质层；浓度调节区，浓度调节区形成于体区中，且浓度调节区与栅极结构之间交叠形成浓度调节交叠区；在栅极结构一侧的体区中注入形成源极注入区和LDD注入区；在栅极结构另一侧的漂移区中注入形成漏极注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 高压 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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