[发明专利]阵列基板制备方法及成膜系统有效
申请号: | 202010305442.2 | 申请日: | 2020-04-17 |
公开(公告)号: | CN111524901B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 赵玲;张伟闵;肖军城 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/321;H01L21/3205;H01L21/77;C23C14/54;C23C14/56;C23C14/14 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供一种阵列基板的制备方法及成膜系统,该制备方法包括步骤A:一制备腔室将金属粒子沉积在基底上,直至所述基底的实时温度大于第一设定温度为止,以在所述基底上形成一金属层;步骤B:将所述基底转移至冷却腔室;步骤C:所述冷却腔室降低所述基底的温度;步骤D:当所述基底的实时温度小于第二设定温度时,将所述基底转移至另一制备腔室;步骤E:所述另一制备腔室将所述金属粒子沉积在所述金属层上,直至所述基底的实时温度所述大于第一设定温度为止,以在所述基底上形成另一金属层。本申请通过将目标厚度的金属叠层分成至少两次堆叠形成,降低了每次沉积金属粒子的时长,以降低基底受热温度,进而避免基底因受热过高而发生翘曲。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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