[发明专利]一种铜掺杂铋双金属材料及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 202010305599.5 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN111501060B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 乔锦丽;彭芦苇;王永霞;刘佩璇;王耀峰;周博 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: C25B11/031 分类号: C25B11/031;C25B11/054;C25B11/061;C25B11/091;C25D3/56;C25B3/07;C25B3/26
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 代理人: 宋旭
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种铜掺杂铋双金属材料及其制备和应用,所述电极以泡沫铜作为支撑体,支撑体表面负载铜掺杂铋金属。制备包括:预处理泡沫铜、CuBi电镀液的配制以及恒电流密度下电沉积即得。本发明制备方法简单,容易操作、成本低,对环境友好,且Cu‑doped‑Bi具有较大的比表面积,存在大量的还原CO2的活性位点。故该电极可极大地抑制二氧化碳电化学还原中的竞争析氢反应,电极稳定性较高,电流密度较大,且具有极高的甲酸法拉第效率。
搜索关键词: 一种 掺杂 双金属 材料 及其 制备 应用
【主权项】:
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