[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010305967.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111509041A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 廖航 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本揭露是关于一半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：衬底、经掺杂III‑V族层、闸极导体、场板、第一钝化层及第二钝化层。所述经掺杂III‑V族层设置于所述衬底上。所述闸极导体设置于所述经掺杂III‑V族层上。所述场板设置于所述闸极导体上。所述第一钝化层位于所述场板与所述闸极导体之间。所述第二钝化层位于所述场板与所述第一钝化层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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