[发明专利]晶体管结构在审

专利信息
申请号: 202010306915.0 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN111834461A 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 卢超群;黄立平 申请(专利权)人: 钰创科技股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构包含一栅极、一间隔层、一通道区、一第一凹槽、以及一第一导电区。所述栅极位于一硅表面上方。所述间隔层位于所述硅表面上方且至少覆盖所述栅极的一侧壁。所述通道区位于所述硅表面下方。所述第一导电区至少部分地形成于所述第一凹槽内,其中所述晶体管结构旁的一相邻晶体管结构的导电区是至少部分地形成于所述第一凹槽内。相较于现有技术所公开的鳍式结构晶体管,本发明所公开的所述晶体管结构可以减少漏电流。
搜索关键词: 晶体管 结构
【主权项】:
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