[发明专利]可变电容器及可变电容器的形成方法有效
| 申请号： | 202010311748.9 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113540019B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/07;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种可变电容器及可变电容器的形成方法，结构包括：衬底，衬底包括第一区和位于第一区两侧的第二区，第一区上具有若干鳍部结构；位于第一区上的栅极结构；位于第二区上的第一伪栅极结构，第一伪栅极结构与栅极结构平行；位于第一区上的第二伪栅极结构，第二伪栅极结构位于栅极结构两侧；位于栅极结构和第二伪栅极结构之间鳍部结构内的源漏掺杂区；位于源漏掺杂区上的第一插塞，第一插塞与源漏掺杂区电连接；位于第一伪栅极结构上的第二插塞，第二插塞与第一伪栅极结构电连接；位于第一插塞上和第二插塞上的第一导电层，第一导电层与第一插塞电连接，且第一导电层与第二插塞电连接。所述可变电容器的性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 可变电容器 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010311748.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
