[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010312290.9 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111463138B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 胡顺;陈赫;刘艳云 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述制备方法包括提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽，形成所述定位槽的底壁具有第一厚度；对所述封装芯片的定位槽进行修剪，使得所述定位槽的底壁具有第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；对所述封装芯片修剪研磨以去除所述定位槽的底壁。根据本发明实施例的半导体器件的制备方法，能够减小半导体器件损坏，提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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