[发明专利]一种SOT-MRAM的测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 202010315504.8 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111508549B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 哀立波;王明;王璐 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SOT‑MRAM的测试结构及其测试方法，该测试结构包括n个首尾依次串联连接的自旋轨道矩磁存储位元。每个自旋轨道矩磁存储位元包括自旋轨道矩提供线、设置在自旋轨道矩提供线上的磁性隧道结；相邻两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个中的磁性隧道结与另一个中的自旋轨道矩提供线连接。还包括用于激励n个磁性隧道结的激励电路、及两个第一测试电极，两个第一测试电极分别与n个自旋轨道矩磁存储位元中位于首尾两端的两个自旋轨道矩磁存储位元连接。通过设置n个自旋轨道矩磁存储位元首尾依次串联连接、第一测试电极、及激励电路，简化测试结构，减小测试器件的总面积。同时对大量器件进行测试，提高测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sot mram 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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