[发明专利]一种在镍基合金上制备二氧化锆薄膜的方法在审
申请号: | 202010315678.4 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN111321384A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 张成远;吴红艳;杨欣烨;赵科 | 申请(专利权)人: | 南京信息工程大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 张立荣 |
地址: | 210044 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 为了提高成膜摩擦、硬度等问题,本发明提出一种以氧等离子刻蚀为预处理,用磁控溅射实现一种在镍基合金上制备二氧化锆薄膜的方法。本发明的在镍基合金上制备二氧化锆薄膜的方法,该方法制备薄膜性能好,尤其是经过等离子刻蚀后力学性能等到提升,表面粗糙度降低,同时制备方法简单,可以实现大规模制备。本发明靶材是锆靶,在经过氧等离子刻蚀过的镍合金基体上进行磁控溅射。其主要过程是先将镍合金基片用氧等离子刻蚀的方法降低表面粗糙度,并使表面富含氧元素,再将处理好的基片放到磁控溅射炉中的式样台上完成样品表面的二氧化锆薄膜的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 合金 制备 氧化锆 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
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