[发明专利]非易失性存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010320919.4 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN111402942B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;黄莹;魏文喆;许锋 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储器，包括堆叠层和存储单元阵列。堆叠层包括堆叠的第一堆栈和第二堆栈以及位于所述第一堆栈和第二堆栈之间的连接层，所述第一堆栈和第二堆栈分别包括交替堆叠的栅极层和介质层。存储单元阵列包括多个存储串，每个存储串包括第一子串和第二子串，所述第一子串垂直贯穿所述第一堆栈，所述第二子串垂直贯穿所述第二堆栈，所述第一子串包括第一沟道层，所述第二子串包括第二沟道层，所述第一沟道层电性连接所述第二沟道层；其中所述连接层在所述堆叠层的延伸方向上与所述第一沟道层和所述第二沟道层的沟道连接部相对，且所述连接层与所述沟道连接部之间为介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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