[发明专利]沟槽的外延填充方法有效
| 申请号： | 202010326164.9 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111403266B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李昊;侯翔宇;杨继业;管子豪;赵龙杰;陆怡;邢军军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽的外延填充方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成硬质掩膜层；步骤二、光刻定义出沟槽的形成区域并对硬质掩膜层进行刻蚀；步骤三、以硬质掩膜层为掩膜对半导体衬底进行刻蚀形成所述沟槽；步骤四、将各平台区域的硬质掩膜层的横向尺寸从两侧向中间横向缩小；步骤五、选择性外延生长第一外延层将所述沟槽完全填充，通过步骤四中将硬质掩膜层的横向尺寸缩小减少台阶外延层的应力并减少或消除应力缺陷。本发明能台阶外延层的应力以及由应力产生的缺陷，能增加工艺窗口，利于器件尺寸缩小，能减少填充难度，增加产能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 外延 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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