[发明专利]集成电路及形成半导体结构的方法

摘要

本公开实施例提供一种集成电路及形成半导体结构的方法。环绕式栅极纳米线晶体管具有垂直堆叠的多个纳米线通道、包裹纳米线通道的第一栅极介电层与包裹第一栅极介电层的第一栅极电极。环绕式栅极纳米片晶体管具有垂直堆叠的多个纳米片通道、包裹纳米片通道的第二栅极介电层与包裹第二栅极介电层的第二栅极电极。平面装置具有平面通道、在平面通道上的第三栅极介电层与在第三栅极介电层上的第三栅极电极。第一与第二栅极介电层具有相同厚度。第三栅极介电层比第一和第二栅极介电层厚。纳米线通道与纳米片通道的宽度是小于平面通道的宽度。