[发明专利]集成器件制造方法及相关产品在审
| 申请号： | 202010339340.2 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111540712A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 樊永辉;曾学忠;樊晓兵;许明伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252;H01L27/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种集成器件制造方法及相关产品，所述集成器件包括至少一个磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)和至少一个LC滤波器。制作方法包括：提供晶圆，并在所述晶圆上设置外延结构；针对所述外延结构执行InP HEMT制造工艺，同时制作电感和电容，形成滤波器。设置金属连线和/或空气桥以连接功率放大器与滤波器的电感和电容，形成功率放大器与滤波器的集成芯片。InP HEMT适用于制作基于InP HEMT的、应用于毫米波和太赫兹通信的功率放大器、低噪放大器以及射频开关。将不同的器件制作在同一芯片上，提高产品的集成度，减小产品尺寸，提升产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 器件 制造 方法 相关 产品 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市汇芯通信技术有限公司，未经深圳市汇芯通信技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010339340.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
