[发明专利]3D存储器件的制造方法

摘要

本申请公开了一种3D存储器件的制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成牺牲叠层结构；形成贯穿牺牲叠层结构的多个沟道柱和多个伪沟道柱，多个沟道柱和多个伪沟道柱分别位于彼此邻接的单元区和外围区中；经由抗蚀剂掩模的开口形成多个栅线缝隙；采用多个栅线缝隙作为蚀刻通道和沉积通道，将多个牺牲层替换成多个栅极导体，以形成栅叠层结构，其中，在所述外围区中，所述抗蚀剂掩模的开口宽度，随着与所述单元区和所述外围区之间的边界的距离而变化。该制造方法可以形成在单元区和外围区宽度一致的栅线缝隙，从而提高3D存储器件的产品良率和可靠性。