[发明专利]一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体制备方法在审
| 申请号： | 202010342701.9 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111484019A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 马康夫;魏汝省;李斌;王英民;赵丽霞;侯晓蕊;周立平;毛开礼;徐伟;王利忠;戴鑫;张辰宇;李刚;方芃博 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体制备方法；属于半导体材料技术领域；技术方案是选择高纯石墨粉、高纯Si粉和聚四氟乙烯粉混合后置于加热炉中，向炉腔内注入高纯H |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 高纯 碳化硅 体制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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