[发明专利]一种掩膜版的缺陷修复方法有效
申请号: | 202010343558.5 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111474821B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 李珍;范海文;江启明 | 申请(专利权)人: | 长沙韶光铬版有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/82 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强;胡凌云 |
地址: | 410129 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及一种掩膜版的缺陷修复方法,提供掩膜版;于显微镜下寻找所述掩膜版上的缺陷,再在缺陷周围形成非水溶性涂料圈;向所述非水溶性涂料圈所围成的区域滴加水系去胶液,去除非水溶性涂料圈所围区域的光刻胶,然后去除非水溶性涂料圈内的水系去胶液;向所述非水溶性涂料圈所围成的区域滴加铬腐蚀液,修复缺陷;将修复缺陷后的掩膜版置于去胶液中去除版面的光刻胶;去除版面的非水溶性涂料圈;对掩膜版进行清洗,获得修复后的掩膜版。本发明的修复方法,无需二次匀胶光刻去除缺陷,在检验缺陷的同时用非水溶性涂料圈出缺陷,将所有缺陷标识出,同时去胶后去残铬,该方法简单易操作,降低掩膜版的制造成本,提高良率及利用率,提高经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 缺陷 修复 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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