[发明专利]半导体测试结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202010344594.3 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111524875B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;巨晓华;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体测试结构及其制作方法，包括：交错设置的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区均呈梳状结构，所述梳状结构包括柄部和齿部，所述齿部呈U形且开口面向所述柄部；及分别设置在所述第一有源区和所述第二有源区梳状结构的柄部的第一接触接点和第二接触接点，且所述第一接触接点和所述第二接触接点对应同一第一有源区或第二有源区梳状结构的齿部。本发明提供的半导体测试结构中，所述第一有源区和所述第二有源区呈梳状结构且交错设置，避免高掺杂的接触区对存储单元阵列中有源区之间的隔离测试的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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