[发明专利]一种横向高压器件在审
申请号: | 202010351231.2 | 申请日: | 2020-04-28 |
公开(公告)号: | CN111524960A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 乔明;江逸洵;冯骏波;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种横向高压器件,包括:P型衬底、N型外延层、栅氧化层、多晶硅栅极、钝化层;N型外延层包括第一P型掺杂条、第二P型掺杂条、第三P型掺杂条、介质槽区、P型阱区和第二N型重掺杂区;P型阱区包括第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区;金属阴极覆盖在第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区表面,金属阳极覆盖在第二N型重掺杂区表面。本发明通过在N型外延层引入梯形介质槽,使得纵向电场的分布近似为矩形分布,器件获得高的击穿电压,同时介质槽也降低了器件表面面积,器件比导通电阻降低;通过在介质槽区两侧引入P型掺杂条构成类似triple‑RESURF的结构,在保持器件耐压的前提下提高了N型外延层的掺杂浓度,降低器件的比导通电阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 横向 高压 器件 | ||
【主权项】:
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