[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 202010353453.8 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111403338B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 艾飞;罗成志 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括依次在基板上形成有源层、层间绝缘层、像素电极层、源漏金属层、钝化层和公共电极层，有源层包括源极区域和漏极区域；其中，图案化层间绝缘层和像素电极层，以在像素电极层形成像素电极，在层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，第一过孔裸露出漏极区域，第二过孔裸露出源极区域，第一凹槽与第二过孔连通设置；图案化源漏金属层以形成源极和漏极，漏极设置在第一过孔内，源极设置在第二过孔内并延伸入第一凹槽。本申请减少了阵列基板制作时所需要的光罩数量，从而降低了工艺成本，增加了产品的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
