[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一主动区、栅极结构、栅极切断特征与通道隔离特征。第一主动区位于基底上并沿着第一方向延伸。栅极结构位于第一主动区上并沿着第二方向延伸。第二方向垂直于第一方向。栅极切断特征邻接于栅极结构的一端。通道隔离特征沿着第二方向延伸并位于第一与第二主动区之间。栅极结构包括直接接触于栅极切断特征的金属电极。通道隔离特征包括在沿第二方向延伸的侧壁上的衬垫以及在侧壁之间的介电填充层。栅极切断特征邻接通道隔离特征的一端，以及介电填充层是直接接触于栅极切断特征。