[发明专利]降低高压互连影响的横向器件及制备方法有效
| 申请号： | 202010355723.9 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111524964B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周锌;师锐鑫;乔明;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低高压互连影响的横向器件及制备方法，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质顶层结构、栅氧化层、埋氧化层、硅局部氧化隔离氧化层、栅电极、源电极和漏电极，在所述器件的高压互连区设置高浓度掺杂的第二型掺杂杂质顶层结构。本发明提供的横向器件可以降低高压互连线对器件表面电场分布的影响，以此来提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 高压 互连 影响 横向 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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