[发明专利]一种氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料的制备方法及其在光阴极保护中的应用有效

专利信息
申请号: 202010359859.7 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN111519228B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 姚超;左士祥;严向玉;李霞章;刘文杰;王灿;叶里祥;吴红叶 申请(专利权)人: 江苏纳欧新材料有限公司
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04;C23F13/14;C01B32/184;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 代理人: 王美华
地址: 211700 江苏省淮*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料的制备方法及其在光阴极保护中的应用,本发明以导电基质为衬底,通过电沉积法在衬底上生长CeO2纳米棒阵列。然后以SnCl2乙醇溶液活化CeO2纳米棒阵列,将Sn2+沉积于CeO2纳米棒阵列上,浸入GO溶液中,通过Sn2+将GO还原成rGO,同时Sn2+与rGO静电吸附,使得CeO2纳米棒阵列连接在石墨烯上片,构建氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料。氧化铈纳米棒阵列结构不仅能够提高光吸收率,在光照下能有效促进电子‑空穴的分离和载流子的定向传输效率,将片状材料的物理阻隔和传统光阴极防腐相结合,发挥了两者的协同作用,进一步提高了防腐性能。
搜索关键词: 一种 氧化 纳米 阵列 石墨 复合材料 制备 方法 及其 阴极保护 中的 应用
【主权项】:
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