[发明专利]低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010361146.4 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111613705A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 姜明明;刘洋;阚彩侠;万鹏;周祥博;马琨傑;唐楷 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 秦秋星 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管及其制备方法，此绿光发射二极管由6个部分组成：(a)蒸镀在p‑InGaN衬底上的Ni/Au电极；(b)p‑InGaN衬底；(c)蓝宝石衬底；(d)金属In电极；(e)n‑ZnO:Ga微米线；(f)石英衬底。本发明采用载流子浓度高，导电性能优异的Ga掺杂n‑ZnO微米线，将单根n‑ZnO:Ga微米线与p‑InGaN(禁带宽度为2.30eV)衬底相结合构筑异质结发光二极管。此发光二极管展现出了良好的整流特性，在此二极管两端施加偏压时，出现了高强、稳定的绿光发射，促进了绿光二极管在生产生活中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 低维高 亮绿 发射 ingan 基异质结 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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