[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010362746.2 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111564496B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有源区、漏区、以及连接所述源区和所述漏区的沟道区；隔离结构，位于所述半导体衬底内；所述隔离结构遮挡在所述源区和所述漏区之间，以阻隔所述源区和所述漏区之间的直线电流路径；栅极结构，至少位于所述半导体衬底的所述沟道区之上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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