[发明专利]带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010363480.3 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111524802B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 丁佳;冯大贵;吴长明;欧少敏;崔艳雷 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/263 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法器件多晶硅栅的刻蚀方法。带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，至少包括以下步骤：提供沉淀有多晶硅层的器件；将所述器件置入刻蚀系统中；提供六氟化硫气体作为刻蚀气体，在所述刻蚀系统中射频放电的作用下，所述刻蚀气体形成等离子体束；通过所述等离子体束对所述器件的多晶硅层进行无偏压射频溅射，各向同性刻蚀形成多晶硅栅。所述刻蚀气体包括括氧气和六氟化硫气体的混合气体，所述刻蚀气体中氧气和六氟化硫气体的质量比为：3:30。本申请可以解决相关技术中多晶硅栅底部刻蚀不均匀形成“V”形结构的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 sgt 结构 mos 器件 多晶 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
