[发明专利]一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010363610.3 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111455337A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘稳;王荣福 | 申请（专利权）人： | 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20;C23C14/16;C22C9/01 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 井晓奇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于电磁屏蔽材料技术领域，具体涉及一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上；步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上；步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。本发明的有益效果在于：本发明所得单面导电镀铜PI膜具有较强的抗腐蚀能力和好的力学性能。在50MHZ‑1.5GHZ条件下，屏蔽效能达80‑130dB。本发明单面导电镀铜PI膜较薄而且密度低，对电子产品整体的重量增加不明显，减少占据的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单面 导电 镀铜 pi 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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