[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 202010366691.2 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN111524839B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 中井仁司;大桥泰彦 | 申请（专利权）人： | 斯克林集团公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/687;B05C5/02;B05C9/04;B05C11/10;B08B3/04;B08B11/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基板处理装置具有腔室、基板保持部、基板旋转机构、受液部及上下喷嘴。腔室具有腔室主体和腔室盖部，并且腔室盖部能够进行升降。在腔室盖部与腔室主体相接触的状态下，形成小的密闭空间，并且进行伴随着减压或者加压进行的处理。当腔室盖部上升时，在腔室盖部和腔室主体之间形成环状开口。第一罩部以及第二罩部位于环状开口的外侧。从基板飞散的处理液被第一罩部或者第二罩部接受。在基板处理装置中，能够在小的腔室内进行各种处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
