[发明专利]一种栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度影响的分裂栅MOSFET结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010367118.3 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111446300A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 苏亚兵;赵志方;何鑫鑫;徐亚静 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度影响的分裂栅MOSFET结构及其制备方法，将栅间隔离介质的热氧化生长和栅氧化层的热生长分开进行，创新出一种新的热氧化栅间隔离介质生产方法，使得栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度的影响，同时避免了常规热生长方法生产栅间隔离介质缺陷导致栅源漏电及栅源电容大等诸多问题。栅极氧化厚度不影响栅间隔离介质的厚度和质量，可根据器件参数要求自由选择栅氧化层厚度，解决了栅源漏电问题并且降低了栅源电容，增强了器件的开关速度，极大的提升了MOSFET高频开关电源领域的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 间隔 介质 厚度 不受 影响 分裂 mosfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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