[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202010373740.5 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113629128B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;刘伟;袁愿林;龚轶 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215200 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种半导体器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型外延层；位于所述n型外延层内且远离所述n型漏区一侧的至少两个栅区；位于所述n型外延层内且位于相邻的所述栅区之间的n型源区；位于所述n型外延层内且介于所述栅区和所述n型漏区之间的多个p型柱。本发明的半导体器件在提高击穿电压的同时还可以降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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