[发明专利]一种半导体存储器及其制作方法、电子设备有效
| 申请号： | 202010377292.6 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111540744B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 赵祥辉;曾臻;阳叶军;张文杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器及其制作方法、电子设备，包括：衬底；位于衬底一侧表面且交替隔离排列的多个控制栅堆叠结构和多个阵列共源隔断层；位于阵列共源隔断层背离衬底一侧的阵列共源连接层；覆盖阵列共源连接层背离衬底一侧、且填充至相邻阵列共源连接层之间凹槽处的绝缘填充层，绝缘填充层包括对应阵列共源连接层的通孔；位于绝缘填充层背离衬底一侧、且通过通孔连接相邻两个阵列共源连接层的桥连线。在将相邻的两个阵列共源连接层电连接时，仅仅在绝缘填充层对应阵列共源连接层处形成通孔即可。本发明无需对绝缘填充层相应控制栅堆叠结构处进行大面积挖孔等处理，避免制作半导体存储器时对控制栅堆叠结构损坏的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储器 及其 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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