[发明专利]一种半导体器件的检验样品的制备方法在审
| 申请号： | 202010382602.3 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN111521464A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈强;邱燕蓉;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的检验样品的制备方法，具体包括：提供样品晶圆，在初始位置状态下，上述样品晶圆的侧表面暴露待测半导体器件的待测截面，上述待测半导体器件在上述待测截面上具有孔洞结构；经上述待测截面在上述孔洞结构中形成填充物以填满上述孔洞结构；以及在上述初始位置状态下竖直切割上述样品晶圆，以获得片状检验样品，上述片状检验样品的被观察侧表面为上述待测截面。在待测半导体器件内部存在孔洞结构时，根据本发明所提供的制备方法能够避免孔洞结构对所制备的TEM样品造成的影响，从而能够提高TEM图像的成像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 检验 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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