[发明专利]存储元件及其制造方法

摘要

一种存储元件及其制造方法，其中存储元件包括：第一位线与第二位线，第一位线位于介电层上，第二位线位于所述第一位线上方；第一字线与第二字线，位于所述第一位线与所述第二位线之间；源极线，位于所述第一字线与所述第二字线之间；通道柱，贯穿所述第一字线、所述源极线与所述第二字线，且与所述第一位线、所述源极线及所述第二位线连接；以及电荷储存结构，包括：第一电荷储存结构，环绕所述第一字线的顶面与底面，并介于所述第一字线的侧壁与所述通道柱的侧壁的下部之间；以及第二电荷储存结构，环绕所述第二字线的顶面与底面，并介于所述第二字线的侧壁与所述通道柱的所述侧壁的上部之间。