[发明专利]一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺在审
| 申请号： | 202010384855.4 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111613540A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;杨华;朱京江;汪曦凌 | 申请（专利权）人： | 安徽安美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/29;H01L21/02;H02M7/219 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 陈国俊 |
| 地址： | 247100 安徽省池州市经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺，属于半导体器件加工领域。包括以下步骤：取镀金后的已扩散硅片，进行光刻和蚀刻开沟，对蚀刻开沟后的晶圆片进行一次碱洗，再切割成OJ芯片；取切割后的OJ芯片焊接在整流桥框架中；对焊接在整流桥框架上的OJ芯片进行二次碱洗；在碱洗后的铜基框架及同等功能基片上的OJ芯片四周填涂聚酰亚胺，实现对OJ芯片PN结的钝化保护；采用传统的环氧树脂或AB胶对钝化后的产品进行封装。本发明采用OJ芯片焊接好后，进行碱洗和聚酰亚胺钝化保护，相比较传统生产工艺具有工艺简单，成本低，耐高温能力和耐高低温循环能力强，可靠性高，低功耗节能，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 整流 模块 生产工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
