[发明专利]应用于存储器件制备过程中的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010385316.2 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111653480A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 白宇;张振兴 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种应用于存储器件制备过程中的刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底从下而上依次形成有耦合氧化层、浮栅多晶硅层、隔离层以及控制栅多晶硅层，控制栅多晶硅层上形成有硬掩模层，硬掩模层和控制栅多晶硅层的表面形成有氧化层，硬掩模层周侧的氧化层形成侧墙；通过ICP刻蚀设备依次对氧化层和控制栅多晶硅层进行刻蚀至隔离层暴露，去除硬掩模层之间的氧化层和控制栅多晶硅层，剩余的控制栅多晶硅层形成控制栅。本申请通过ICP设备依次对氧化层和控制栅多晶硅层进行刻蚀，通过调节刻蚀过程中的参数使氧化层形成的侧墙和控制栅的侧壁的连接处没有凸起结构，从而提高了器件的稳定性和制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 存储 器件 制备 过程 中的 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
