[发明专利]一种存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010386254.7 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111524896A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 崔延光 | 申请（专利权）人： | 济南南知信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 叶宇 |
| 地址： | 250000 山东省济南市历*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储器及其制造方法，其具有第一半导体层和环形半导体层组成的有源区部分，并且利用存储栅结构和控制栅结构对所述有源区进行导通传输；在制造方法上，分别制造第一半导体层和环形半导体层，然后在环形半导体层中形成存储栅结构，在所述环形半导体层外形成控制栅结构，方法极为简单，且能够实现较大的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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