[发明专利]一种MOS电容器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010386643.X | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN113629041A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王芳;傅焕松 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS电容器件及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底正面上形成包括多层结构的介质层；在介质层上方形成第一电极；在衬底背面形成第二电极。衬底作为电容器件的一部分，形成的电容器件作为独立的器件。增加了电容器件设计的灵活性。本方法分别形成多层介质层，利于控制整个介质层的厚度、致密度以及厚度的均匀性，实现良好的介质层厚度均匀性，这样有利于提高电容值的精确度。上述独立的电容器件适用于高频应用，在高频应用下，具有精确的阻抗匹配及去噪滤波功能，具有大功率、高击穿电压、低损耗及高精确度等性能特点。上述电容器件可与其他器件在电路基板上封装组合形成器件模组，增加了半导体集成电路设计的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 电容 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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