[发明专利]场效晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010391505.0 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113644135B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 邢溯;邱崇益;姚海标 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种场效晶体管及其制造方法，其中该场效晶体管包括绝缘体覆硅结构的硅层。线状的栅极结构层设置在硅层上。所述栅极结构层包含第一区域及与所述第一区域相邻接的第二区域。沟槽隔离结构在所述硅层中，位于所述栅极结构层对应所述第二区域的两边。所述栅极结构层的所述第二区域在所述硅层上，且重叠覆盖所述沟槽隔离结构。源极区域与漏极区域，设置在所述硅层中，位于所述栅极结构层对应所述第一区域的两边。所述栅极结构层的所述第二区域包含导电型结部分。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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