[发明专利]一种半导体工艺设备有效
申请号: | 202010391826.0 | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN111534809B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 朱海云 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/687 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体工艺设备,包括工艺腔室、承载盘、支撑柱、升降组件和调节组件,所述承载盘设置在所述工艺腔室内,所述支撑柱与所述承载盘相连并支撑所述承载盘,所述升降组件通过所述调节组件与所述支撑柱相连,所述升降组件能够带动所述调节组件升降。所述调节组件具有安装表面,所述支撑柱设置在所述安装表面上,所述安装表面与参考面之间的角度能够被调节,并且所述调节组件的安装表面能够带动所述支撑柱沿参考面运动,以调节所述承载盘的位置。在本发明中,调节组件直接通过支撑柱连接承载盘,升降组件可以与工艺腔室固定连接,从而提高了承载盘的稳定性,进而提高了设备的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 工艺设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的