[发明专利]自对准沟槽MOSFET接触件的系统和方法在审
| 申请号： | 202010395594.6 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN112086511A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 相馬充;正博新保;正樹藏前;耕平内田 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及自对准沟槽MOSFET接触件的系统和方法。实施例提供了包括半导体器件的系统和方法，该半导体器件通过在基板的表面上形成硬质掩膜柱、在每个硬质掩膜柱的第一侧面和每个硬质掩膜柱的第二侧面上形成牺牲间隔件而制成。可在相邻牺牲间隔件之间形成开口间隙。该半导体器件还可通过以下方式形成：蚀刻硬质掩膜柱以形成柱间隙，通过开口间隙和柱间隙将栅极沟槽蚀刻到基板中，在栅极沟槽内形成栅极电极，在牺牲间隔件下方的基板中植入沟道和源极，围绕牺牲间隔件形成绝缘体层，在基板内蚀刻牺牲间隔件以形成接触沟槽，以及用导电材料填充接触沟槽以形成接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 沟槽 mosfet 接触 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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